继台积电、三星晶圆代工、英特尔等国际大厂在先进逻辑制程导入极紫外光（EUV）微影技术后，同样面临制程微缩难度不断增高的DRAM厂也开始评估采用EUV技术量产。三星电子今年第四季将开始利用EUV技术生产1z纳米DRAM，SK海力士及美光预期会在1α纳米或1β纳米评估导入EUV技术。

由于先进制程采用EUV微影技术已是趋势，在台积电第二季EUV技术7+纳米进入量产阶段并获华为海思订单后，三星晶圆代工也采用EUV量产7纳米制程，英特尔预期2021年7纳米会首度导入EUV技术。而随着制程持续推进至5纳米或3纳米后，EUV光罩层会明显增加2～3倍以上，对EUV光罩盒需求亦会出现倍数成长。

另外，占全球半导体产能逾3成的DRAM，也开始逐步导入EUV技术。业者指出，DRAM市场供给过剩且价格跌至变动成本，DRAM厂虽然放缓产能扩充但无法让价格明显止跌，维持获利的唯一方法就是微缩制程来降低单位生产成本。不过，DRAM制程向1z纳米或1α纳米制程推进的难度愈来愈高，随着EUV量产技术获得突破，或可有效降低DRAM成本。

三星预期在今年11月开始量产采用EUV技术的1z纳米DRAM，量产初期将与三星晶圆代工共享EUV设备，初期使用量虽不大，但却等于宣示DRAM光罩微影技术会朝EUV方向发展。至于SK海力士及美光也已表明开始评估采用EUV技术，业界预期将可能在1α纳米或1β纳米世代开始导入。

总体来看，在逻辑IC及DRAM的先进制程开始采用EUV技术后，对EUV光罩盒需求在明、后两年都会呈现倍数成长。